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文献
J-GLOBAL ID：200902193753340844
整理番号：94A0196001
加熱気化/誘導結合プラズマ質量分析法によるシリコンウェハー中の超微量クロム,鉄,ニッケル及び銅の深さ方向分布の測定
Depth profiling of ultratrace chromium, iron, nickel, and copper in silicon wafers by electrothermal vaporization/ICP-MS.
竹中みゆき
(東芝 研開セ)
,
富田充裕
(東芝 研開セ)
,
窪田敦子
(東芝)
,
土屋憲彦
(東芝)
,
松永秀樹
(東芝 研開セ)
資料名：
分析化学
巻： 43 号： 2 ページ： 173-176 発行年： 1994年02月
JST資料番号： F0008A ISSN： 0525-1931 CODEN： BNSKAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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