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文献
J-GLOBAL ID：200902193793714232
整理番号：99A0432951
InP基板上のGa1-xInxAs/GaAs1-ySbyタイプII超格子をベースとする発光ダイオードとレーザダイオード
Light-emitting diodes and laser diodes based on a Ga1-xInxAs/GaAs1-ySby type II superlattice on InP substrate.
PETER M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
KIEFER R
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
FUCHS F
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
HERRES N
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
WINKLER K
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
BACHEM K-H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
,
WAGNER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoeperphysik, Freiburg, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 14 ページ： 1951-1953 発行年： 1999年04月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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