文献
J-GLOBAL ID:200902193980692323
整理番号:94A0089285
シリコンウエハボンディング法によるシリコン格子間原子と絶縁膜との反応の研究
Investigation of silicon interstitial reactions with insulating films using the silicon wafer bonding technique.
著者 (3件):
TSOUKALAS D
(NCSR “Demokritos”, Aghia Paraskevi, GRC)
,
STOEMENOS J
(Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC)
,
TSAMIS C
(NCSR “Demokritos”, Aghia Paraskevi, GRC)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
23
ページ:
3167-3169
発行年:
1993年12月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)