文献
J-GLOBAL ID:200902194089285098
整理番号:97A0501343
2次元電子ガスのSchottky面内ゲート及びラップゲート制御に基づいた単一及び多重ドットがあるGaAs単一電子素子の作製と特性評価
Fabrication and Characterization of GaAs Single Electron Devices Having Single and Multiple Dots Based on Schottky In-Plane-Gate and Wrap-Gate Control of Two-Dimensional Electron Gas.
著者 (4件):
KASAI S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
JINUSHI K
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TOMOZAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
3B
ページ:
1678-1685
発行年:
1997年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)