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文献
J-GLOBAL ID：200902194334403611
整理番号：98A0861388
0.1μmCMOS ULSI用の,その場PドープSiGeとBドープSiを使用したかさ上げソース/ドレイン技術
A Raised Source/Drain Technology Using In-situ P-doped SiGe and B-doped Si for 0.1-μm CMOS ULSIs.
UCHINO T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIBA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHNISHI K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MIYAUCHI A
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
NAKATA M
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
INOUE Y
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI T
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1997 ページ： 479-482 発行年： 1997年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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