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文献
J-GLOBAL ID：200902194387394568
整理番号：01A0690717
分子ビームエピタクシーによって(775)B方位GaAs基板上に成長させた自己組織化In0.15Ga0.85As量子細線の積層効果
Stacking effect of self-organized In0.15Ga0.85As quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy.
OHNO Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NITTA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMOMURA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIYAMIZU S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 227/228 ページ： 970-974 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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