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文献
J-GLOBAL ID：200902194737321976
整理番号：97A0855500
りんをドープした{111}ホモエピタキシャル・ダイヤモンド薄膜の成長と評価
Growth and characterization of phosphorous doped {111} homoepitaxial diamond thin films.
KOIZUMI S
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
,
KAMO M
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
,
SATO Y
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
,
OZAKI H
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
INUZUKA T
(Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 71 号： 8 ページ： 1065-1067 発行年： 1997年08月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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