文献
J-GLOBAL ID:200902194780394430
整理番号:02A0200694
FD/DG-SOI MOSFET 素子の縮小限界を克服するための実行可能な手法
FD/DG-SOI MOSFET. A viable approach to overcoming the device scaling limit.
著者 (1件):
HISAMOTO D
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2001
ページ:
429-432
発行年:
2001年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)