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文献
J-GLOBAL ID：200902194999721835
整理番号：02A0673781
アニーリングによるSi(111)面上のGaN膜の作製と構造特性
Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (111) by annealing.
YANG Y-G
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
MA H-L
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
XUE C-S
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
ZHUANG H-Z
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
HAO X-T
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
MA J
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
TENG S-Y
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 193 号： 1/4 ページ： 254-260 発行年： 2002年06月05日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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