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文献
J-GLOBAL ID：200902195093162878
整理番号：99A0341416
サブ40nm PtSi Schottkyソース/ドレイン金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ
Sub-40nm PtSi Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
WANG C
(EG&G Reticon, California)
,
SNYDER J P
(Spinnaker Semiconductor, Minnesota)
,
TUCKER J R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 8 ページ： 1174-1176 発行年： 1999年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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