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J-GLOBAL ID：200902195115187489 整理番号：93A0519541

Silicon carbide and SiC-AlN solid-solution p-n structures grown by liquid-phase epitaxy.

著者 (1件)：

DMITRIEV V A

(Howard Univ., Washington, D.C., USA)

資料名：

Physica B. Condensed Matter (Physica B. Condensed Matter)

巻： 185 号： 1/4 ページ： 440-452 発行年： 1993年04月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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