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文献
J-GLOBAL ID：200902195124868677
整理番号：93A0395780
バンドギャップに近い光子(1.4eV<hν<1.5eV)による半絶縁性GaAs中のEL2準位の準安定状態からの光誘起回復
Optically induced recovery by near band gap photons (1.4eV<hv<1.5eV) of EL2 level from its metastable state in semi-insulating GaAs.
JIMENEZ J
(ETSII, Valladolid, ESP)
,
ALVAREZ A
(ETSII, Valladolid, ESP)
,
CHAFAI M
(ETSII, Valladolid, ESP)
,
SANZ L F
(ETSII, Valladolid, ESP)
,
BONNAFE J
(Univ. Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier, FRA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 73 号： 6 ページ： 2871-2877 発行年： 1993年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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