文献
J-GLOBAL ID:200902195162097137
整理番号:01A0546598
不均一しきい値電圧分布をもつ3.3V,1Gb多値NANDフラッシュメモリ
A 3.3V 1Gb Multi-Level NAND Flash Memory with Non-Uniform Threshold Voltage Distribution.
著者 (9件):
CHO T
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
LEE Y-T
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
KIM E
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
LEE J
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
CHOI S
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
LEE S
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
KIM D-H
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
HAN W-K
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
,
SUH K-D
(Samsung Electronics, Kyunggi, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
44
ページ:
28-29,424
発行年:
2001年02月
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)