文献
J-GLOBAL ID:200902195203454608
整理番号:93A0773068
変調ドープしたInxGa1-xAs量子井戸内電子の閉込め効果による面内有効質量の増大
Enhancement of the in-plane effective mass of electrons in modulation-doped InxGa1-xAs quantum wells due to confinement effects.
著者 (9件):
HENDORFER G
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
SETO M
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
RUCKSER H
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
JANTSCH W
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
HELM M
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
BRUNTHALER G
(Univ. Linz, Linz, AUT)
,
JOST W
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
OBLOH H
(Fraunhofer Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
AS D J
(Heinrich-Hertz-Inst. Nachrichtentechnik, Berlin, DEU)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
48
号:
4
ページ:
2328-2334
発行年:
1993年07月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)