文献
J-GLOBAL ID:200902195362952074
整理番号:99A0245545
大フィールド描画電子ビームリソグラフィーにおけるパターン修正ステンシルマスクによる近接効果補正
Proximity Effect Correction by Pattern Modified Stencil Mask in Large-Field Projection Electron Beam Lithography.
著者 (5件):
KOBINATA H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMASHITA H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
NOMURA E
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
NAKAJIMA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KUROKI Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
37
号:
12B
ページ:
6767-6773
発行年:
1998年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)