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文献
J-GLOBAL ID：200902195371772720
整理番号：02A0359077
選択的に成長させた二ゲート単一電子トランジスタの作製および低温輸送特性
Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors.
MOTOHISA J
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
NAKAJIMA F
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
FUKUI T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
VAN DER WIEL W G
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
ELZERMAN J M
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
DE FRANCESCHI S
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
,
KOUWENHOVEN L P
(Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 15 ページ： 2797-2799 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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