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文献
J-GLOBAL ID:200902195514113260   整理番号:99A0479145

歪補償層を用いた新しい偏光無依存1.55μm InGaAs(P)-InGaAsP多重量子井戸電界吸収変調器

A New Polarization-Insensitive 1.55-μm InGaAs(P)-InGaAsP Multiquantum-Well Electroabsorption Modulator Using a Strain-Compensating Layer.
著者 (2件):
CHUNG K-H
(Hanyang Univ., Kyungki-do, KOR)
SHIM J-I
(Hanyang Univ., Kyungki-do, KOR)

資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)

巻: 35  号:ページ: 730-736  発行年: 1999年05月 
JST資料番号: H0432A  ISSN: 0018-9197  CODEN: IEJQA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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