文献
J-GLOBAL ID:200902195514113260
整理番号:99A0479145
歪補償層を用いた新しい偏光無依存1.55μm InGaAs(P)-InGaAsP多重量子井戸電界吸収変調器
A New Polarization-Insensitive 1.55-μm InGaAs(P)-InGaAsP Multiquantum-Well Electroabsorption Modulator Using a Strain-Compensating Layer.
著者 (2件):
CHUNG K-H
(Hanyang Univ., Kyungki-do, KOR)
,
SHIM J-I
(Hanyang Univ., Kyungki-do, KOR)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
35
号:
5
ページ:
730-736
発行年:
1999年05月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)