文献
J-GLOBAL ID:200902195542226177
整理番号:93A0229179
nとpチャネルシリコンMOSFETに対する経験的局部移動度モデルのユニバーサル実効移動度
“Universal” effective mobility of empirical local mobility models for n- and p-channel silicon MOSFETs.
著者 (1件):
WONG H-S
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
2
ページ:
179-188
発行年:
1993年02月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)