文献
J-GLOBAL ID:200902195568344747
整理番号:99A0459418
p型GaNへのオーミックコンタクトの電気的性質への酸素雰囲気中アニール処理の効果
Effects of Annealing in an Oxygen Ambient on Electrical Properties of Ohmic Contacts to p-Type GaN.
著者 (7件):
KOIDE Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MAEDA T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KAWAKAMI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
UEMURA T
(Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
SHIBATA N
(Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
MURAKAMI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
28
号:
3
ページ:
341-346
発行年:
1999年03月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)