文献
J-GLOBAL ID:200902195642636259
整理番号:93A0769261
CdS結晶を使った金属-半導体接触の特性に及ぼす可動欠陥の効果
Influence of mobile defects on the characteristics of a metal-semiconductor contact in the case of CdS crystals.
著者 (4件):
DROZDOVA I A
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN)
,
EMBERGENOV B
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN)
,
KORSUNSKAYA N E
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN)
,
MARKEVICH I V
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
4
ページ:
372-373
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)