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文献
J-GLOBAL ID：200902195742287952
整理番号：02A0501695
γ-Al2O3/Si多重へテロ構造による共鳴トンネルダイオードの作製
Fabrication of Resonance Tunnel Diode by γ-Al2O3/Si Multiple Heterostructures.
SHAHJAHAN M
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
KOJI Y
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
SAWADA K
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
ISHIDA M
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 4B ページ： 2602-2605 発行年： 2002年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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