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文献
J-GLOBAL ID：200902195762845781
整理番号：93A0546965
Enhanced non-radiative recombination in hydrogenated amorphous silicon at low carrier densities and low temperatures.
VOLLMAR H-P
(Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU)
,
BINDEMANN R
(Technische Univ. Dresden, Dresden, DEU)
資料名：
Philosophical Magazine Letters
(Philosophical Magazine Letters)
巻： 67 号： 4 ページ： 231-237 発行年： 1993年04月
JST資料番号： T0360A ISSN： 0950-0839 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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