文献
J-GLOBAL ID:200902195781354373
整理番号:01A0728450
ウルツ鉱型GaNベース磁性合金半導体の分子ビームエピタクシー
Molecular Beam Epitaxy of Wurtzite GaN-Based Magnetic Alloy Semiconductors.
著者 (5件):
KUWABARA S
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KONDO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
CHIKYOW T
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
AHMET P
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
MUNEKATA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
40
号:
7B
ページ:
L724-L727
発行年:
2001年07月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)