文献
J-GLOBAL ID:200902195899040810
整理番号:01A0458261
CMOS SRAMセル安定性における本質的デバイス変動の影響
The Impact of Intrinsic Device Fluctuations on CMOS SRAM Cell Stability.
著者 (3件):
BHAVNAGARWALA A J
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
TANG X
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
,
MEINDL J D
(Georgia Inst. Technol., GA, USA)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
36
号:
4
ページ:
658-665
発行年:
2001年04月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)