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文献
J-GLOBAL ID：200902195932567447
整理番号：97A0872860
6H-SiC上成長へき開端面InGaN/GaN SCHレーザにおけるパルスレーザ発光動作
Pulsed operation lasing in a cleaved-facet InGaN/GaN MQW SCH laser grown on 6H-SiC.
BULMAN G E
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
DOVERSPIKE K
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
SHEPPARD S T
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
WEEKS T W
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
KONG H S
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
EDMOND J A
(Cree Res. Inc., NC, USA)
,
BROWN J D
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SWINDELL J T
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SCHETZINA J F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 33 号： 18 ページ： 1556-1557 発行年： 1997年08月28日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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