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文献
J-GLOBAL ID:200902195992787411   整理番号:94A0098094

圧縮歪InGaAs/GaAs量子井戸レーザにおけるしきい値電流密度の最適化

Optimization of Threshold Current Density for Compressive-Strained InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers.
著者 (5件):
PARK S
(Hyosung Women’s Univ., Kyengsan, KOR)
JEONG W
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
KIM H
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
KIM I
CHOE B
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 32  号: 12A  ページ: 5584-5585  発行年: 1993年12月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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