文献
J-GLOBAL ID:200902195992787411
整理番号:94A0098094
圧縮歪InGaAs/GaAs量子井戸レーザにおけるしきい値電流密度の最適化
Optimization of Threshold Current Density for Compressive-Strained InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers.
著者 (5件):
PARK S
(Hyosung Women’s Univ., Kyengsan, KOR)
,
JEONG W
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
KIM H
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM I
,
CHOE B
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
12A
ページ:
5584-5585
発行年:
1993年12月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)