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文献
J-GLOBAL ID：200902196016683101
整理番号：01A0523874
GaN MIS構造のための高品質オキサイド/ナイトライド/オキサイド・ゲート絶縁膜
High-Quality Oxide/Nitride/Oxide Gate Insulator for GaN MIS Structures.
GAFFEY B
(Yale Univ., CT, USA)
,
GUIDO L J
(Yale Univ., CT, USA)
,
WANG X W
(Yale Univ., CT, USA)
,
MA T P
(Yale Univ., CT, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 458-464 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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