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文献
J-GLOBAL ID：200902196144785774
整理番号：93A0560331
炭素をドープしたベース層とベース・コレクタ接合に傾斜超格子層とを使用したInP/InGaAsダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ
In/P/InGaAs double heterojunction bipolar transistors incorporating carbon-doped bases and superlattice graded base-collector junctions.
GEE R C
(Univ. California, San Diego, CA, USA)
,
ASBECK P M
(Univ. California, San Diego, CA, USA)
,
LIN C L
(IBM Research Division, NY, USA)
,
KIRCHNER P D
(IBM Research Division, NY, USA)
,
WOODALL J M
(IBM Research Division, NY, USA)
,
FARLEY C W
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
,
SEABURY C W
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
,
HIGGINS J A
(Rockwell International Science Center, CA, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 29 号： 10 ページ： 850-851 発行年： 1993年05月13日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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