文献
J-GLOBAL ID:200902196151784805
整理番号:94A0018571
りん化インジウムへのドナー不純物のイオン注入
Ion implantation of a donor impurity in indium phosphide.
著者 (4件):
GALINA T M
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod, SUN)
,
VOLOD’KO V G
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod, SUN)
,
DEMIDOV E S
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod, SUN)
,
PODCHISHCHAEVA O V
(N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
27
号:
8
ページ:
762-763
発行年:
1993年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)