文献
J-GLOBAL ID:200902196339808353
整理番号:02A0436905
MBE成長時におけるGa終端GaAs(001)表面のAs2分子の役割
Role of As2 molecules on Ga-terminated GaAs(001) surfaces during the MBE growth.
著者 (3件):
ISHII A
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
SEINO K
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
,
AISAKA T
(Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
236
号:
4
ページ:
511-515
発行年:
2002年03月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)