文献
J-GLOBAL ID:200902196430518570
整理番号:03A0084010
分子ビームエピタクシーによるSi(100)とSi(111)上への超薄結晶性Al2O3ゲート絶縁膜の作製と電気的評価
Fabrication and Electrical Characterization of Ultrathin Crystalline Al2O3 Gate Dielectric Films on Si(100) and Si(111) by Molecular Beam Epitaxy.
著者 (4件):
SHAHJAHAN M
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
TAKAHASHI N
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
SAWADA K
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
ISHIDA M
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
41
号:
12B
ページ:
L1474-L1477
発行年:
2002年12月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)