文献
J-GLOBAL ID:200902196496196043
整理番号:93A0277436
SiエッチングにおけるCF4及びCF4/O2のrf放電での正および負イオン
Negative and positive ions from CF4 and CF4/O2 rf discharges in etching Si.
著者 (2件):
LIN Y
(Univ. Texas at Dallas, Texas)
,
OVERZET L J
(Univ. Texas at Dallas, Texas)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
7
ページ:
675-677
発行年:
1993年02月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)