文献
J-GLOBAL ID:200902196597559562
整理番号:00A0157159
バイアススパッタリングによって蒸着したCu薄膜の残留応力と電気抵抗率に及ぼす膜密度の影響
Influence of film density on residual stress and resistivity for Cu thin films deposited by bias sputtering.
著者 (4件):
CHOI H M
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Dae-Jon, KOR)
,
CHOI S K
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Dae-Jon, KOR)
,
ANDERSON O
(Schott Glas, Res. and Technol.-Dev., Mainz, DEU)
,
BANGE K
(Schott Glas, Res. and Technol.-Dev., Mainz, DEU)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
358
号:
1/2
ページ:
202-205
発行年:
2000年01月10日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)