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文献
J-GLOBAL ID：200902196620561324
整理番号：94A0814971
低しきい値,高T0の(InGa)As量子ドットからの注入レーザ放射
Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots.
KIRSTAEDTER N
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
LEDENTSOV N N
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
USTINOV V M
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst. Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
RUVIMOV S S
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst. Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
ALFEROV ZH I
(A.F. Ioffe Physical-Technical Inst. Academy of Science, St. Petersburg, SUN)
,
WERNER P
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik und Labor fuer Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin)
,
GOESELE U
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik und Labor fuer Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin)
,
RICHTER U
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik und Labor fuer Elektronenmikroskopie in Naturwissenschaft und Medizin)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 30 号： 17 ページ： 1416-1417 発行年： 1994年08月18日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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