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文献
J-GLOBAL ID：200902196624234085
整理番号：04A0174601
高kゲート絶縁体のためのZrO2,HfO2及びPrOx薄膜のパルスレーザ堆積による作製及び評価
Preparation by Pulsed Laser Deposition and Characterization of ZrO2, HfO2 and PrOx Thin Films for High-k Gate Insulator
KANASHIMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITAI S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SOHGAWA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANDA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKUYAMA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Proceedings of the 13th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 2002
(Proceedings of the 13th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 2002)
ページ： 199-202 発行年： 2002年
JST資料番号： K20030131 ISSN： 1099-4734 ISBN： 0-7803-7414-2 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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