文献
J-GLOBAL ID:200902196844508739
整理番号:94A0872088
イオン注入した4H,6H,15R,3C SiCにおける2~525Kで強いエルビウム1.54μm光ルミネセンス
Intense erbium-1.54-μm photoluminescence from 2 to 525K in ion-implanted 4H, 6H, 15R, and 3C SiC.
著者 (6件):
CHOYKE W J
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
DEVATY R P
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
CLEMEN L L
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
YOGANATHAN M
(Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
,
PENSL G
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
,
HAESSLER C
(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
65
号:
13
ページ:
1668-1670
発行年:
1994年09月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)