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文献
J-GLOBAL ID：200902197065326574
整理番号：93A0660277
Photoluminescence and Hall characterization of pseudomorphic GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy.
BAETA MOREIRA M V
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)
,
PY M A
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)
,
ILEGEMS M
(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 11 号： 3 ページ： 593-600 発行年： 1993年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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