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文献
J-GLOBAL ID：200902197137427052
整理番号：98A0419912
高温成長GaNへの低温堆積バッファ層挿入によるサファイア上有機金属気相エピタクシー成長GaNにおけるエッチピット密度の減少
Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN.
IWAYA M
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI T
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YAMAGUCHI S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
WETZEL C
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 3B ページ： L316-L318 発行年： 1998年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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