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文献
J-GLOBAL ID：200902197144580354
整理番号：96A1011856
準メタリックモードRF反応性スパッタリングにより作製した低温(450°C)Pb(Zr,Ti)O3膜の電気特性
Electrical Properties of Low-Temperature (450°C) Pb(Zr,Ti)O3 Films Prepared in Quasi-Metallic Mode by RF Reactive Sputterillg.
ZHANG W
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SASAKI K
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
HATA T
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 9B ページ： 5084-5088 発行年： 1996年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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