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文献
J-GLOBAL ID：200902197151226558
整理番号：96A0656284
ドープしたSiCのRaman散乱のFano干渉効果
Fano-interference effect of Raman scattering in doped SiC.
HARIMA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKASHIMA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 142 ページ： 365-368 発行年： 1996年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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