文献
J-GLOBAL ID:200902197205369732
整理番号:02A0934016
高い(88%)微分効率を持つ1.3μm領域のInAs/InGaAs/GaAs量子ドットレーザ
InAs/InGaAs/GaAs quantum dot lasers of 1.3 μm range with high (88%) differential efficiency.
著者 (9件):
KOVSH A R
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
MALEEV N A
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
ZHUKOV A E
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
MIKHRIN S S
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
VASIL’EV A P
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
SHERNYAKOV YU M
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
MAXIMOV M V
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS)
,
LEDENTSOV N N
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
38
号:
19
ページ:
1104-1106
発行年:
2002年09月12日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)