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文献
J-GLOBAL ID：200902197524091690
整理番号：99A0040362
界面活性剤としてInを用いた分子ビームエピタクシーで成長させた改良した品質のGaN
Improved quality GaN grown by molecular beam epitaxy using In as a surfactant.
WIDMANN F
(CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
,
DAUDIN B
(CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
,
FEUILLET G
(CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
,
PELEKANOS N
(CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
,
ROUVIERE J L
(CEA/Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 73 号： 18 ページ： 2642-2644 発行年： 1998年11月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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