文献
J-GLOBAL ID:200902197594889576
整理番号:93A0592399
急速熱酸化による高低のあるポリシリコン電極上への高品質酸化膜/窒化膜積層の形成
Formation of High-Quality Oxide/Nitride Stacked Layers on Rugged Polysilicon Electrodes by Rapid Thermal Oxidation.
著者 (5件):
ITOH S
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
LO G Q
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
KWONG D L
(Univ. Texas at Austin, TX)
,
MATHEWS V K
(Micron Technology Inc., ID)
,
FAZAN P C
(Micron Technology Inc., ID)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
40
号:
6
ページ:
1176-1178
発行年:
1993年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)