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文献
J-GLOBAL ID：200902197638742349
整理番号：00A0544467
NdGaO3基板上のGaNの水素化物気相エピタクシーと2インチスケールの自立したGaNウエハの実現
Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN on NdGaO3 Substrate and Realization of Freestanding GaN Wafers with 2-inch Scale.
WAKAHARA A
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
YAMAMOTO T
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
ISHIO K
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
YOSHIDA A
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
SEKI Y
(Japan Energy Co., Toda, JPN)
,
KAINOSHO K
(Japan Energy Co., Toda, JPN)
,
ODA O
(Japan Energy Co., Toda, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 4B ページ： 2399-2401 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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