文献
J-GLOBAL ID:200902197641791725
整理番号:93A0950230
VLSIバイポーラデバイスのためのタングステン局部相互接続の製作
Fabrication of Tungsten Local Interconnect for VLSI Bipolar Technology.
著者 (9件):
KOBEDA E
(IBM Research Division, New York)
,
MAZZEO N J
(IBM Research Division, New York)
,
GAMBINO J P
(IBM Research Division, New York)
,
NG H
(IBM Research Division, New York)
,
PATTON G L
(IBM Research Division, New York)
,
WARNOCK J D
(IBM Research Division, New York)
,
BASAVAIAH S
(IBM Research Division, New York)
,
WHITE J F
(IBM Research Division, New York)
,
CRESSLER J D
(IBM Research Division, New York)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
140
号:
10
ページ:
3007-3013
発行年:
1993年10月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)