文献
J-GLOBAL ID:200902197662646741
整理番号:01A0162862
シリコン-オン-ナシング構造を作製するためのシリコン中の空虚な空間法
Empty-space-in-silicon technique for fabricating a silicon-on-nothing structure.
著者 (4件):
MIZUSHIMA I
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SATO T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TANIGUCHI S
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TSUNASHIMA Y
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
77
号:
20
ページ:
3290-3292
発行年:
2000年11月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)