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文献
J-GLOBAL ID：200902197878385241
整理番号：01A0772430
高密度SiF4プラズマの中のSiF4とSiF2の密度のシングルパス赤外ダイオードレーザ吸収分光法とレーザ誘起蛍光法を用いた空間分布の測定
Measurement of Spatial Distribution of SiF4 and SiF2 Densities in High Density SiF4 Plasma Using Single-Path Infrared Diode Laser Absorption Spectroscopy and Laser-Induced Fluorescence Technique.
NAKAMURA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
GOTO T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ITO M
(Wakayama Univ., Wakayama, JPN)
,
ISHII N
(Tokyo Electron Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 7 ページ： 4730-4735 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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