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文献
J-GLOBAL ID：200902197939159169
整理番号：94A0040378
(In,Mn)As/(Ga,Al)Sb磁性半導体ヘテロ構造の作製及びその強磁性特性
Preparation of (In,Mn)As/(Ga,Al) Sb magnetic semiconductor heterostructures and their ferromagnetic characteristics.
MUNEKATA H
(IBM Research Division, New York)
,
ZASLAVSKY A
(IBM Research Division, New York)
,
FUMAGALLI P
(IBM Research Division, New York)
,
GAMBINO R J
(IBM Research Division, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 63 号： 21 ページ： 2929-2931 発行年： 1993年11月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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