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文献
J-GLOBAL ID：200902197971637315
整理番号：01A0049948
熱酸化多孔質けい素中の異方性のある偏光メモリ
Anisotropic polarization memory in thermally oxidized porous silicon.
KOYAMA H
(Hyogo Univ. Teacher Education, Hyogo, JPN)
,
FAUCHET P M
(Univ. Rochester, New York)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 15 ページ： 2316-2318 発行年： 2000年10月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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