文献
J-GLOBAL ID:200902198039954385
整理番号:02A0210693
ボデイ固定型部分トレンチ分離を用いた,バルクレイアウトと互換性のある0.18μm SOI-CMOS技術
Bulk-Layout-Compatible 0.18-μm SOI-CMOS Technology Using Body-Tied Partial-Trench-Isolation(PTI).
著者 (9件):
HIRANO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEDA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NII K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IWAMATSU T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
IPPOSHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASHIMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MAEGAWA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIMURA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
48
号:
12
ページ:
2816-2822
発行年:
2001年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)